学问星球里的学员问：用ICP-RIE刻蚀搏斗孔工艺中中云开体育，侧壁的角度与射频功率相干大不大？怎么通过挪动功率来挪动侧壁角度？

什么是刻蚀的侧壁角度？

如上图，侧壁角度是侧壁相干于衬底的歪斜角度，是筹画刻蚀质地的蹙迫见识之一。理念念的侧壁角度接近90°，垂直于衬底，然而大巨额情况下的侧壁角度是歪斜的，即锥形。

垂直或歪斜的刻蚀角度均有其利用的场景，垂直角度更适合高密度互连的条目，不错幸免锥形角度带来的空间奢侈。而锥形角度不错使填孔工艺大大裁减。

ICP-RIE的功率挪动？

如上图，转换上位机电源的功率，不错转换等离子体的密度；转换偏置电源的功率不错转换正离子轰击晶圆的能量。增大ICP-source的电源时，等离子体浓度会增大；增大偏置电源的功率时等离子体中的正离子受到的诱导力增大，正离子具有更大的动能轰击晶圆名义。

陡立位机电源功率的比值与刻蚀角度的相干？

当ICP-source：RF source的功率比值高潮时，侧壁的角度下落，比如从89°下落到85度，即侧壁更歪斜了。

原因是当ICP-source：RF source的功率比值高潮时，等离子体浓度增多的愈加明显，即化学作用的比值高潮，侧壁角度下落。当ICP-source：RF source的功率比值下落时，正离子的动能增多明显，物理轰击的比值高潮，侧壁角度愈加陡直。

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